Elektrik Elektronik Mühendisliği Ödev Yaptırma: DC–DC Dönüştürücü Tasarımında Verimlilik Artırma

Updated Ekim 16, 2025
Posted in En iyi ödev siteleri ücretsiz / Güvenilir ödev siteleri / Lise ödev YAPTIRMA / Ödev YAPTIRMA sitesi / Ödev Yaptırma / Parayla ödev yapma siteleri / Üniversite ödev YAPTIRMA
Tagged as batarya regülatörü, boost dönüştürücü, buck dönüştürücü, buck-boost topoloji, çekirdek kaybı Steinmetz, çıkış ripple azaltma, clamp devresi, Coss Qg Qrr, DC–DC dönüştürücü verimi, DCR current sense, dijital kontrol PWM, dV/dt kontrol, EMI filtre optimizasyonu, ESR kaybı, flyback verim, forward/half bridge, GaN HEMT MOSFET, GaN sürücü, gate direnci ayarı, gate driver optimizasyonu, hafif yük verimi, indüktör ripple, interleaved çok faz, IR termografi güç, kelvin sense ölçümü, kondansatör ESR ESL, litz tel AC kaybı, LLC rezonans, manyetik tasarım ferrit, Miller clamp, MLCC DC bias, Pareto kayıp analizi, PFM burst mode, phase interleaving, power density, PV MPPT boost, RDSon kaybı, SiC MOSFET yüksek verim, SiC yüksek gerilim, sıcak loop PCB, slope compensation, snubber RCD, spread spectrum EMI, tam köprü rezonans, termal via bakır kalınlığı, transient cevabı, veri merkezi güç modülü, verim haritası ölçüm, ZVS ZCS anahtılama
0 Yorum
14 mins read

Elektrik Elektronik Mühendisliği Ödev Yaptırma: DC–DC Dönüştürücü Tasarımında Verimlilik Artırma

DC–DC dönüştürücüler; taşınabilir cihazlardan veri merkezlerine, elektrikli araçlardan yenilenebilir enerji sistemlerine kadar günümüz elektroniğinin sessiz işçileri. Yüksek verim, yalnızca daha az ısınma ve daha uzun batarya ömrü demek değildir; aynı zamanda daha küçük soğutma donanımı, daha yüksek güç yoğunluğu, daha düşük maliyet ve yüksek güvenilirlik anlamına gelir. Verim düşüklüğü, kayıp enerjinin ısıya dönüşmesiyle eleman ömrünü kısaltır, EMI’yi artırır ve performansı dalgalandırır.

1) Kayıp Anatomisi: Nerede Ne Kayıp Oluyor?

DC–DC dönüştürücülerde toplam kayıp genelde şu bileşenlerden oluşur:

Anahtar yarı iletkenler (MOSFET/SiC/GaN): İletim kaybı $P_{co n d} = I_{r m s 2} \cdot R_{D S (o n)}$ , anahtılama kaybı $P_{s w} \approx 2 1 V I (t_{r} + t_{f}) f_{s}$ , kapı sürme kaybı $P_{g a t e} = Q_{g} \cdot V_{d r i v e} \cdot f_{s}$ .
Diyot(lar) veya senkron MOSFET: İletim düşümü $V_{f} \cdot I$ ya da MOSFET’te $R_{D S (o n)}$ ve body-diodegeçiş kaybı.
Manyetikler (indüktör/trafo): Bakır kaybı $I_{r m s 2} R_{a c}$ , çekirdek kaybı (histerezis + girdap, $\sim f, B^{n}$ ).
Kondansatörler: ESR kaynaklı $I_{r i ppl e 2} \cdot ESR$ ve dielektrik kayıplar.
Sürücü ve kontrol: Yardımcı beslemeler, kapı sürücüleri, ölçüm ağları.
PCB: Hat direnci, via geçişleri, dönüş akımı yolunun yaydığı EMI ve kayıplar.

Ödev tüyosu: Düğüm bazlı kayıp matrisini doldurun: her eleman için RMS/peak akım, dalga şekli, frekans; kaybı hesaplayın ve bir Pareto grafiği ile en büyük 3 kaynağı işaretleyin.

2) Topoloji Seçimi: Buck, Boost, Buck–Boost, Flyback, Forward, LLC

Buck (adım düşürücü): Basit, yüksek verim, geniş kullanım. Orta-yüksek çıkış akımları, düşük fark gerilimlerde ideal.
Boost (adım yükseltici): Giriş düşük–çıkış yüksek senaryolar; giriş akım dalgalanmasına dikkat.
Buck–boost: Geniş giriş aralığı; non-inverting/inverting varyantlar; iki anahtar daha çok kontrol ama daha iyi verim olasılığı.
Flyback: İzolasyon + düşük güç (genelde <150 W); tek manyetik, maliyet avantajı; verim sınırlı, sızıntı endüktansı/EMI dikkat.
Forward/Push-pull/Half&Full-Bridge: Orta–yüksek güç izolasyonlu; doğru reset ve manyetik tasarım ile yüksek verim.
LLC rezonans: Yüksek verim ve ZVS/ZCS; dar aralıkta olağanüstü, geniş hat/yükte dikkatli tasarım gerekir.

Seçim kuralı: Güç & gerilim aralığı, izolasyon gereği, maliyet, EMI hedefi ve boyut sınırlamalarını aynı tabloda toplayın; iki aday topoloji belirleyip loss/EMI/saha-risk kıyası yapın.

3) Yarı İletken Teknolojisi: Si, SiC, GaN Karşılaştırması

Si MOSFET: Uygun maliyet; orta gerilim (20–200 V) alanında çok verimli.
SiC MOSFET: Yüksek gerilim (650 V+), yüksek sıcaklık, daha düşük Qrr, daha iyi verim; kapı sürücüsü ve EMI’ye özen.
GaN HEMT: Çok düşük Qg ve Coss, yüksek $f_{s}$ ile çok düşük anahtılama kaybı; düşük–orta gerilim (100–650 V) sınıfında yüksek güç yoğunluğu.

İpucu: Düşük $V_{in}$ –yüksek $I_{o u t}$ buck tasarımlarında RDSON/paket termali belirleyicidir; yüksek $V$ –orta $I$ uygulamalarda Coss–Qrr ve anahtılama kayıpları baskın olur → GaN/SiC avantaj sağlar.

4) Anahtılama Frekansı ve Modülasyon: Verim–Hacim Dengesi

Yüksek $f_{s}$ → Küçük manyetikler/kondansatörler ancak daha yüksek anahtılama kaybı.
Düşük $f_{s}$ → Daha büyük manyetikler ama anahtılama kaybı düşer.
Yaygın stratejiler:
- Sabit frekans PWM: Tahmin edilebilir EMI; kontrol kolay.
- DCF (Daha düşük frekans) ağır yükte, Burst/skip hafif yükte: Hafif yük verimini artırır.
- Spread-spectrum: EMI piklerini yayar, verime etkisi genelde sınırlıdır.

Ödev tüyosu: 3–5 frekansta aynı tasarımın kayıp/ısı/EMI ölçümlerini alın; toplam maliyet (manyetik ebat + filtre + yarı iletken alanı) ile verim arasında optimum noktayı seçin.

5) ZVS/ZCS ve Rezonans Teknikleri

ZVS (Zero Voltage Switching): Anahtılama anında MOSFET üzerindeki gerilimi sıfıra yakınlamak; özellikle GaN’da büyük kazanç.
ZCS (Zero Current Switching): Akım sıfıra yakınken anahtılamak; diyot/indüktif eleman streslerini azaltır.
LLC/Phase-Shift Full-Bridge: Doğal ZVS/ZCS pencereleri; manyetik ve Coss etkileşimi ile yük ve hat aralığıboyunca verimi yüksek tutar.
Dikkat: ZVS’nin pencere dışına çıkmaması için Coss, leakage ve yük hatası analiz edilmeli.

6) Manyetik Tasarım: Çekirdek Seçimi, AC Direnç ve Doyma

Malzeme: Ferrit (yüksek f, düşük kayıp), toz demir (yüksek akım, daha yüksek kayıp), amorf/nanokristalin (yüksek güç).
Çekirdek kaybı: Steinmetz parametreleri ( $P_{core} = k f^{α} B^{β}$ ).
AC bakır kaybı: Cilt (skin) ve yakınlık (proximity) etkileri; litz tel, çok katmanlı sarım; pencere doldurma ile termal.
İndüktans/ripple: Buck’ta $Δ I_{L} = L f ^{s} ( V ^{in} - V ^{o u t} ) D$ . Ripple düşerse ESR kaybı ve çıkış filtre gereksinimi azalır; ancak L büyür → boyut artar.
İpucu: AC kayıpları küçültmek için interleaved sarım ve litz kullanın; çekirdek malzemesini çalışma $f$ ve $B$ -salınımına göre seçin.

7) Kondansatör Stratejisi: ESR, ESL ve Sıcaklık

Giriş kondansatörü: Giriş akım dalgalanmasını yönetir; ripple akımı datasheet sınırını aşmayın.
Çıkış kondansatörü: ESR + ESL toplamı load transient ve dalgalamayı belirler.
Kimya: MLCC (düşük ESR/ESL, DC bias etkisi), polimer (yüksek ripple toleransı), elektrolitik (ucuz ama ESR yüksek).
Not: MLCC’de X5R/X7R DC bias ile kapasitans ciddi düşer; hafif yük verim optimizasyonu yaparken pişmanlıkyaşamayın.

8) Sürücü (Gate Driver) ve Geçiş Optimizasyonu

Kapı direnci $R_{g}$ : Çok düşük $R_{g}$ → hızlı kenar, düşük $E_{s w}$ ama EMI/zil; çok yüksek $R_{g}$ → kayıp artar.
Miller kıskacı, dV/dt kontrolü: Senkron MOSFET’te yanlış tetiklenmeyi önleyin.
Sürücü yerleşimi: Kelvin source ile gate loop’u kısaltın; ortak mod gürültüyü azaltın.
Sürücü beslemesi: İzole sürücülerde common mode dayanımı ve UVLO eşikleri kritik.

Ödev tüyosu: Gate dalga şekillerini 10× prob yerine düşük kapasitanslı diferansiyel prob ile ölçün; Miller plateau sürelerini tabloya koyun.

9) PCB Yerleşim ve Güç Bütünlüğü: Verim ve EMI İkizleri

Akım döngülerini küçültün: “Sıcak” loop (MOSFET–diyot/Sync FET–giriş kapasitörü) alanını minimum yapın.
Geniş bakır ve çok via: DC direnci ve sıcaklığı düşürür; akı dönüş yolu kesintisiz toprak düzlemi üzerinden akmalı.
Kelvin sense: Akım şantı ve MOSFET source ölçümlerinde zorunlu.
Diferansiyel sinyaller: Sürücü/ölçüm hatlarında empedans ve dönüş yolu; çapraz konuşmayı azaltın.

Pratik kontrol: Termal kamerada “ince sıcak çizgiler” = dar bakır; IR bulgusunu layout’la eşleyip genişletin.

10) Hafif Yük Verimi: Burst, PFM ve Dinamik Uyku

Burst/Skip mode: Hafif yükte anahtılama olaylarını azaltır; no-load verimi yükseltir ancak ripple ve akustik risk.
PFM (Pulse Frequency Modulation): Yük azaldıkça frekans düşer; ortalama kayıp azalır.
Dinamik kapatma: Sürücü/ölçüm/yardımcı reg’leri uykuya almak; housekeeping güçlerini minimize etmek.

Ödev tüyosu: 3 yük noktasında (no-load, 10%, 50%, 100%) verimi ölçün; hafif yük stratejisinin akustik ve ripplesonuçlarını raporlayın.

11) Akım/Hata Algısı: Doyma, Zamanlama ve Koruma

Akım algılama: DCR sense, shunt, inductor in-situ ölçüm; verim–doğruluk dengesi.
Peak/valley current mode: Hızlı transient, iyi kararlılık; slope compensation şart.
Koruma: OCP, OVP, OTP; latch vs hiccup. Kısa devrede enerji sınırlaması verimden önemlidir — yarı iletkeni kurtarır.

Not: Shunt yerine DCR sense verimi artırır, ama sıcaklığa bağımlıdır → NTC/LUT kompanzasyonu ekleyin.

12) EMI ve Verim: Filtre Kaybını Azaltma

Diferansiyel/ortak mod filtreler verimde kayıp oluşturur.
Çözüm:
- Yüksek dV/dt kaynaklarını yerleşimle ve snubber ile kontrol edin,
- Spread-spectrum ve phase-interleaving,
- Filtrede düşük ESR komponentler ve akım yolu kısa tutulmalı.
  Vaka: 200 kHz buck’ta giriş LC’nin ESR’i düşürülünce verim +%0.4; EMI de layout düzeltmesiyle sınıra indi.

13) Termal Tasarım: Sıcaklık–Ömür–Verim İlişkisi

Arrhenius: Sıcaklık her 10°C artınca bazı hata hızları 2× olur.
Junction sıcaklığı arttıkça MOSFET $R_{D S (o n)}$ yükselir → kayıp kısır döngüsü.
Çözüm: Isı yayıcı (heatsink), thermal via, bakır kalınlığı; hava akışı/kanal; TIM.
Ödev tüyosu: 25/50/85 °C ortamda verim–sıcaklık ölçerek sıcaklık katsayısı eğrisi çıkartın.

14) Kontrol Döngüsü ve Dinamikler: Kararlılık ≠ Verim, Ama Etkiler

Geniş bant kontrol hızlıdır ama gate sürüşünü ve akım dalgalanmasını artırabilir.
Faz marjı düşükse osilasyon ve ek kayıplar mümkün.
Dijital kontrol: Değişken frekans/ölçüm stratejileriyle EDQ (Enerji–Gecikme–Kalite) optimizasyonu yapabilirsiniz.

İpucu: Load transient’i gereğinden agresif bastırmak yerine çıkış kapasitörü optimizasyonu + yumuşak kontrol ile toplam kaybı azaltın.

15) Interleaved Çok Fazlı Mimariler

Çok faz ile giriş/çıkış dalgalanması azalır, ripple akımı fazlara dağılır → ESR kaybı ve manyetik kayıp küçülür.
Zaman kaydırma (phase interleaving) EMI’yı yayar; daha küçük filtreler.
Dikkat: Fazlar arası akım paylaşımı; çok hassas Rds(on) sense ya da indüktör DCR eşlemesi gerekir.

Vaka: 60 A çıkışlı buck’ta 4 faza geçiş; verim +%1.1, bobin başı sıcaklık −8 °C, giriş kapasitörü adedi −30%.

16) Snubber ve Yumuşatma Ağı: Kayıp–EMI Takası

RCD/RLD snubber: Ringing bastırır; seçilen Rs ile enerji yakılır → verim düşebilir.
Alternatif: Clamp (aktif/rezonant), gate shaping, layout düzeltmesi.
Ödev tüyosu: Snubber öncesi/sonrası enerji spektrumu ve verim farkını ölçün; “EMI hedefi vs verim” Pareto’su oluşturun.

17) Ölçüm ve Profiling: Verim Artırmanın Bilimi

4 tel (Kelvin) ölçüm: V–I hatalarını minimize edin.
Dalga şekli: dV/dt–dI/dt, ring; diferansiyel prob şart.
Verim haritası: $V_{in}$ , $I_{o u t}$ , $T_{amb}$ eksenlerinde ısı haritası; p95 noktaları işaretleyin.
Kayıp ayrıştırma: Termal kamera + güç analizörü + manyetik sıcaklığı ile çekirdek/bakır ayrımı.

18) Tasarrufun Küçük Noktaları: Mikro-Optimizasyonlar

Schottky paralel (sync MOSFET body-diode’a),
Soft-recovery diyot seçimi (boost yardımcı yollarında),
Low-Qg gate,
Kısa kalın izler, çok via,
MLCC paket optimizasyonu (0201/0402 ESR/ESL).

Her biri %0.1–0.3 katkı verebilir; toplamda yüzde puan kazanırsınız.

19) Vaka Çalışması A — 12 V→5 V, 20 A Senkron Buck

Başlangıç: 300 kHz, Si MOSFET, L=1 µH, verim %92.1 @10 A.
İyileştirme:
- GaN üst MOSFET + daha düşük $Q_{g}$ ,
- L=1.5 µH (ripple ↓), f_s=400 kHz → bobin küçüldü,
- Giriş MLCC bank genişletildi; sıcak loop küçültüldü,
- Gate $R_{g}$ optimize, Miller kıskacı eklendi.
Sonuç: %94.0 @10 A, %92.9 @20 A; bobin p95 sıcaklığı −10 °C.

20) Vaka Çalışması B — 48 V→12 V, 300 W LLC

Başlangıç: %95.5 tepe; hafif yükte %88.
İyileştirme:
- Manyetik malzeme ferrit değişimi,
- Rezonans kondansatör ESR düşürüldü,
- Burst-PFM sınırları ve uyku akımları optimize edildi.
Sonuç: Tepe %96.3; 10% yükte %92.5; fan hızı düşürüldü (akustik +).

21) Vaka Çalışması C — 24 V→200 V Boost (PV MPPT)

Sorun: Yüksek $V$ →Coss kaybı, diyot ters toparlanma.
Çözüm: SiC diyot + GaN anahtar, $f_{s}$ 150→300 kHz; snubber yeniden boyutlandı; giriş akım ripple azaltıldı.
Sonuç: Verim %93.2→%95.1; MPPT izleme daha stabil.

22) Sık Hatalar ve Kaçınma Taktikleri

Yüksek $f_{s}$ kör artışı: Manyetik küçülür ama toplam verim düşebilir. → Önce loss modeli!
MLCC DC-bias’ı ihmal: Çıkış dalgalaması beklenenden büyük. → DC-bias eğrilerini hesaba kat.
Uzun gate döngüsü: EMI ve yanlış tetiklenme. → Sürücüyü yakınla, kelvin.
Snubber’a güvenip layout’u unutmamak: Önce akım döngülerini kısaltın.
Hafif yükde çınlama/akustik: Burst/PFM parametrelerini deneysel optimize edin.

Sonuç

DC–DC dönüştürücü verimliliği, tek bir “gümüş kurşun” ile değil; topoloji seçimi, yarı iletken teknolojisi, manyetik tasarım, kondansatör stratejisi, gate sürüş/anahtılama profili, PCB yerleşim–EMI–termal ve kontrolün bütüncülele alınmasıyla yükselir. Bu yazıda; kayıp mekanizmalarını formül–fizik temeliyle açtık; ZVS/ZCS ve rezonans tekniklerinden interleaved çok faza, hafif yük veriminden EMI–filtre takasına kadar pratik optimizasyon yollarınıörneklerle sunduk. Ölçüm ve profil çıkarmadan optimizasyon yapmak karanlıkta ıslık çalmaktır; verim haritanızı çıkarın, Pareto kayıplarınızı belirleyin, en etkili 2–3 manevrayı önceliklendirin.

Ödev/bitirme raporlarınızda; kayıp matrisleri, dalga şekli ekran görüntüleri, termal haritalar, verim–yük–sıcaklıkeğrileri ve EMI test çıktılarıyla kanıta dayalı ilerleyin. İyi bir DC–DC tasarımı, yalnızca bugün daha serin ve verimli çalışmaz; yaşam boyu daha güvenilir ve sürdürülebilir bir sistem olarak karşılığını verir.

Ödev Raporu Şablonu (Puan Kazandıran)

Gereksinim: $V_{in}$ aralığı, $V_{o u t}$ , $I_{o u t}$ , izolasyon, ebat/soğutma/EMI hedefleri.
Topoloji Adayları: 2–3 seçenek, artı-eksi tablosu; kayıp model ön-tahmini.
Yarı İletken Seçimi: Si/SiC/GaN kıyası; $R_{D S (o n)}$ , $Q_{g}$ , $C_{oss}$ , $Q_{rr}$ .
Manyetik Tasarım: L/trafo, malzeme, AC kayıpları; litz/interleaving.
Kondansatör Planı: Giriş–çıkış MLCC/polimer; ripple ve DC-bias grafikleri.
Gate Sürüşü: $R_{g}$ , Miller kıskacı, dV/dt; ölçüm ekranları.
PCB/Layout: Sıcak loop görselleri; kelvin sense; via–bakır tabloları.
Kontrol: PWM/PFM/burst; hafif–ağır yük stratejisi.
EMI ve Filtre: Öncesi/sonrası spektrum; filtre kaybı analizi.
Termal: 25/50/85 °C verim–sıcaklık; IR termografi.
Verim Haritası: No-load–100% arası; p95 noktalar.
Risk–Mitigasyon: Kısa devre, ring, akustik; alternatif planlar.
Sonuç–Yol Haritası: Ürünleştirme, maliyet/performans, 2. iterasyon.

10 Günlük Sprint Planı (Prototip–Ölçüm Odaklı)

Gün 1: Gereksinim ve topoloji filtreleme; kayıp matris taslağı.
Gün 2: Yarı iletken/Manyetik hızlı seçim; çekirdek–sarım denemesi.
Gün 3: Gate sürüş PoC; $R_{g}$ taraması, Miller kıskacı testleri.
Gün 4: PCB hızlı prototip (hot loop minimize); giriş/çıkış MLCC bankı.
Gün 5: İlk verim–dalga şekli ölçümleri; snubber/EMI ön denemeleri.
Gün 6: Manyetik ve kondansatör optimizasyonu (AC kayıp, DC-bias).
Gün 7: Hafif yük stratejileri (PFM/burst); akustik–ripple ölçümleri.
Gün 8: Interleaving/çok faz PoC (varsa); akım paylaşımı ayarı.
Gün 9: Termal test (25/50/85 °C); IR harita; fan/soğutma iterasyonu.
Gün 10: EMI tam tarama; verim haritası; rapor ve 2. iterasyon planı.

Hızlı Kontrol Listesi (Cheat-Sheet)

Kayıp Pareto’su çıkarıldı (MOSFET, manyetik, ESR, sürücü).
Topoloji ve yarı iletken seçimi kayıp/EMI/beden üzerinden gerekçelendirildi.
Gate döngüsü kısa, $R_{g}$ optimize; Miller kıskacı uygulandı.
Sıcak akım döngüleri minimize; kelvin sense ve geniş bakır/çok via.
Manyetik malzeme ve sarım AC kayıpları ölçülerek seçildi (litz/interleave).
Giriş/çıkış MLCC ve polimer kombinasyonu; DC-bias etkisi hesaba katıldı.
Hafif yük modu (PFM/burst) test edildi; akustik sorun yok.
Snubber/clamp minimum kayıpla EMI’yi sağlıyor; layout öncelikli düzeltildi.
Termal p95 noktaları ısı sınırlarının altında; IR/termokupl ile doğrulandı.
Verim haritası ve EMI raporu tamam; 2. iterasyon hedefleri net.

Öğrencilerin akademik başarılarını desteklemek ve yoğun tempoda geçen okul yaşamlarında yardımcı olmak amacıyla kurulan “Ödev Yaptırma” platformu, özgün ve kaliteli ödev çözümleri sunmaktadır. Öğrencilerin farklı branşlardan ödevlerini, projelerini ve makalelerini profesyonel ve deneyimli ekip üyelerimiz aracılığıyla titizlikle hazırlıyoruz. Her bir ödevi, konunun gerektirdiği derinlemesine araştırmalar ve analizler doğrultusunda çözümleyerek, öğrencilerimizin özgün düşünce yapısını ön plana çıkarmasını sağlıyoruz.

“Ödev Yaptırma” olarak, müşteri memnuniyetini ve güvenilirliği en üst düzeyde tutmaktayız. Öğrencilerin bize teslim ettikleri ödevlerin tümü, gizlilik ve güvenlik ilkelerine sıkı sıkıya bağlı kalınarak işlenir. Her ödev, öğrencinin taleplerine ve öğretmenin yönergelerine uygun olarak özelleştirilir ve her zaman orijinal içerik üretmeye özen gösteririz. Öğrencilerin akademik itibarını korumak ve güvenilir bir öğrenme deneyimi sunmak için elinizdeyiz.

“Ödev Yaptırma” platformu, kullanıcı dostu arayüzü sayesinde öğrencilere kolayca ulaşılabilir bir hizmet sunmaktadır. Kullanıcılar, web sitemiz üzerinden basit adımlarla ödevlerini yaptırma taleplerini iletebilir ve ihtiyaç duydukları konuda uzmanlaşmış ekip üyelerimizle iletişime geçebilirler. Hızlı yanıt verme ve esneklik, öğrencilerin zaman baskısı altında olan durumlarında da yanlarında olduğumuzu hissettirir. “Ödev Yaptırma” olarak, öğrencilerin başarısını desteklemek ve onlara daha fazla öğrenme fırsatı sunmak için buradayız

İçerik Üreticisi

Biyografinin Tamamını Gör

Etiketler: batarya regülatörü, boost dönüştürücü, buck dönüştürücü, buck-boost topoloji, çekirdek kaybı Steinmetz, çıkış ripple azaltma, clamp devresi, Coss Qg Qrr, DC–DC dönüştürücü verimi, DCR current sense, dijital kontrol PWM, dV/dt kontrol, EMI filtre optimizasyonu, ESR kaybı, flyback verim, forward/half bridge, GaN HEMT MOSFET, GaN sürücü, gate direnci ayarı, gate driver optimizasyonu, hafif yük verimi, indüktör ripple, interleaved çok faz, IR termografi güç, kelvin sense ölçümü, kondansatör ESR ESL, litz tel AC kaybı, LLC rezonans, manyetik tasarım ferrit, Miller clamp, MLCC DC bias, Pareto kayıp analizi, PFM burst mode, phase interleaving, power density, PV MPPT boost, RDSon kaybı, SiC MOSFET yüksek verim, SiC yüksek gerilim, sıcak loop PCB, slope compensation, snubber RCD, spread spectrum EMI, tam köprü rezonans, termal via bakır kalınlığı, transient cevabı, veri merkezi güç modülü, verim haritası ölçüm, ZVS ZCS anahtılama

Bir yanıt yazın Yanıtı iptal et

Türkiye (Turkey)

Almanya (Germany)

Bulgaristan (Bulgaria)

Danimarka (Denmark)

Kanada (Canada)

Malta (Malta)

KKTC (TRNC)

Yunanistan (Greece)

Amerika Birleşik Devletleri (USA)

Çin (China)

Japonya (Japan)

Birleşik Krallık (UK)

Fransa (France)

İspanya (Spain)

Norveç (Norway)

Belçika (Belgium)

Hollanda (Netherlands)

İsviçre (Switzerland)

İsveç (Sweden)

İtalya (Italy)

Finlandiya (Finland)

Meksika (Mexico)

Güney Kore (South Korea)

Rusya (Russia)

Hırvatistan (Croatia)

İrlanda (Ireland)

Polonya (Poland)

Hindistan (India)

Avustralya (Australia)

Brezilya (Brazil)

Arjantin (Argentina)

Güney Afrika (South Africa)

Singapur (Singapore)

Birleşik Arap Emirlikleri (UAE)

Suudi Arabistan (Saudi Arabia)

Portekiz (Portugal)

Avusturya (Austria)

Macaristan (Hungary)

Çek Cumhuriyeti (Czech Republic)

Romanya (Romania)

Tayland (Thailand)

Endonezya (Indonesia)

Ukrayna (Ukraine)

Kolombiya (Colombia)

Şili (Chile)

Peru (Peru)

Venezuela (Venezuela)

Kosta Rika (Costa Rica)

Panama (Panama)

Küba (Cuba)

Dominik Cumhuriyeti (Dominican Republic)

Jamaika (Jamaica)

Bahamalar (Bahamas)

Filipinler (Philippines)

Malezya (Malaysia)

Vietnam (Vietnam)

Pakistan (Pakistan)

Bangladeş (Bangladesh)

Nepal (Nepal)

Sri Lanka (Sri Lanka)

Ekvador (Ecuador)

Yeni Zelanda (New Zealand)

Litvanya (Lithuania)

Letonya (Latvia)

Estonya (Estonia)

Slovakya (Slovakia)

Slovenya (Slovenia)

Kenya (Kenya)

Tanzanya (Tanzania)

Mozambik (Mozambique)

Zambiya (Zambia)

Gana (Ghana)

Nijerya (Nigeria)

Senegal (Senegal)

Fas (Morocco)

Cezayir (Algeria)

Tunus (Tunisia)

Ürdün (Jordan)

İsrail (Israel)

Katar (Qatar)

Umman (Oman)

Kuveyt (Kuwait)

Kazakistan (Kazakhstan)

Özbekistan (Uzbekistan)

Türkmenistan (Turkmenistan)

Tacikistan (Tajikistan)

Ermenistan (Armenia)

Gürcistan (Georgia)

Azerbaycan (Azerbaijan)

Bosna-Hersek (Bosnia & Herzegovina)